Модуль перешкод FPV GaN 50W (100–200 МГц) | SMA | Підсилювач для РЕБ-систем

50W антидроновий модуль перешкод GaN 100–200 МГц | SMA | потужність 50 Вт

Модуль створення радіоперешкод у низькочастотному діапазоні 100–200 МГц із потужністю 50 Вт, побудований на GaN-компонентах (нітрид галію). Завдяки високоефективній технології підсилення цей модуль забезпечує стабільну роботу без перегріву, мінімальні втрати енергії та покращену теплову ефективність.

Має SMA-роз'єм, компактні розміри та зручний інтерфейс живлення. Оптимально підходить для застосування в РЕБ-системах, спрямованих на захист стратегічних зон і подавлення довгохвильових каналів зв’язку.

🔧 Що таке GaN?

GaN (Gallium Nitride) — це напівпровідниковий матеріал, який має значно кращі електричні властивості, ніж традиційний кремній (Si):

• Працює на вищих частотах

• Забезпечує вищу потужність

• Має менші втрати тепла

• Компактніший і легший за розмірами

🛰 У РЕБ/глушилках GaN дозволяє:

1. Збільшити радіус дії перешкод

2. Працювати стабільно на багатьох частотах (наприклад, 2.4 ГГц, 5.8 ГГц, GPS)

3. Зменшити розміри та вагу пристрою

4. Забезпечити тривалу роботу без перегріву

5. Знизити споживання енергії при тих самих або кращих характеристиках

⚙️ Ключові технічні характеристики:

• Частота: 100–200 МГц

• Вихідна потужність: 47 ±1 дБм (~50 Вт)

• КСХ (VSWR): ≤ 1.5

• Робоча напруга: DC +28V

• Струм споживання: ≤ 3.5A при 47 дБм

• Роз’єм RF: SMA

• Габарити: 111.7 × 37.3 × 19.5 мм

• Інтерфейс живлення:
   🔴 червоний – +28V
   ⚫ чорний – GND
   ⚪ білий – EN (увімкнення підсилювача)

• Сертифікація: CE, ISO, RoHS, GS

✅ Переваги:

• Надійна робота на низьких частотах — актуально для глушіння специфічних протоколів зв’язку.

• Висока енергоефективність і надійність, навіть без використання циркулятора.

• Компактний формфактор — легко інтегрується в мобільні або стаціонарні системи.

• Температурна стабільність — не перегрівається при тривалій роботі.