Модуль помех FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) с циркулятором, SMA-Female для РЭБ

Компактный высокочастотный модуль помех для диапазона 5.8 ГГц (5725–5850 МГц), предназначенный для интеграции в системы радиоэлектронной борьбы. Это высокотехнологичный модуль подавления для критически важной частоты 5.8 ГГц — именно в этом диапазоне работает большинство современных FPV-дронов и систем передачи видеосигнала в реальном времени.

Решение ориентировано на противодействие FPV-дронам (DJI FPV, DJI Avata, DJI Air 2S, DJI Mavic 3/Pro, Autel, Parrot Anafi, Yuneec) и другим платформам, использующим видеолинки 5.8 ГГц. Модуль обеспечивает эффективное подавление видеоканалов и передачи данных, лишая оператора возможности стабильного визуального наведения.

Построенный на GaN-технологии (нитрид галлия), модуль демонстрирует высокую эффективность на микроволновых частотах и стабильную выходную мощность 50 Вт даже при длительной непрерывной работе при условии надлежащего теплоотвода. GaN-транзистор обеспечивает более высокую удельную мощность и энергоэффективность по сравнению с LDMOS при тех же габаритах.

Компактный форм-фактор (≈200 г) позволяет интегрировать модуль в стационарные, автомобильные и мобильные RF-платформы, где критически важны габариты, масса и повторяемость параметров.

Ключевые преимущества

• Узкая рабочая полоса 5725–5850 МГц — оптимизированное согласование именно под диапазон 5.8 ГГц.

• GaN-каскад — стабильная работа на высоких частотах и высокая плотность мощности.

• Встроенная защита выходного каскада — на RF-стороне реализован изолирующий узел (циркулятор/изолятор) с поглощающей нагрузкой, снижающий риски от отражённой мощности при нестабильном согласовании.

• Отдельная линия управления (PA_EN) — удобное включение/выключение усилителя внешней логикой без отключения питания.

Технические характеристики

Рабочий диапазон частот — 5725–5850 МГц
Выходная мощность — 50 Вт (номинально)
Питание — DC 28 В
Потребляемый ток — ориентировочно ≥4 А (зависит от режима и нагрузки)
RF-разъём — SMA-Female
Габариты — 112 × 38 × 19.5 мм
Масса — ≈0.2 кг
Рабочая температура — −30…+55 °C
Монтаж — винтовое крепление, теплопроводящая база

GaN vs LDMOS простыми словами

GaN обеспечивает более высокую плотность мощности и лучшую эффективность на частотах уровня 5.8 ГГц. Это позволяет получить 50 Вт в компактном и лёгком корпусе при стабильной работе.

LDMOS хорошо работает в более низких диапазонах, но на 5.8 ГГц часто требует больших габаритов или имеет меньший запас эффективности.

Подключение и требования к эксплуатации

Модуль требует качественного теплоотвода: установка на радиатор или теплопроводящую основу через термоинтерфейс (паста/прокладка). В закрытых корпусах рекомендуется дополнительный обдув.

Критически важно: не включать модуль без корректной RF-нагрузки (согласованной антенны или эквивалента нагрузки 50 Ω). Работа «вразомкнутую» или при грубом рассогласовании может повредить выходной каскад и не является гарантийным случаем.

Для интеграции в системы управления используется линия PA_EN (отдельный управляющий провод).

​​​​​​​