9 150 ₴
GaN (Gallium Nitride) — це напівпровідниковий матеріал, який має значно кращі електричні властивості, ніж традиційний кремній (Si):
Працює на вищих частотах
Забезпечує вищу потужність
Має менші втрати тепла
Компактніший і легший за розмірами
Збільшити радіус дії перешкод
Працювати стабільно на багатьох частотах (наприклад, 2.4 ГГц, 5.8 ГГц, GPS)
Зменшити розміри та вагу пристрою
Забезпечити тривалу роботу без перегріву
Знизити споживання енергії при тих самих або кращих характеристиках
Діапазони, що доступні на замовлення
| № | Смуга, МГц | Типові цілі |
|---|---|---|
| 1 | 200 – 300 | НЧ RC, спецзв’язок |
| 2 | 300 – 400 | LoRa, UHF-телеметрія |
| 3 | 400 – 500 | Crossfire 433 |
| 4 | 500 – 600 | HEQ, частина ELRS |
| 5 | 600 – 720 | телеметрія 650-700 |
| 6 | 720 – 850 | LTE 700, OcuSync 0.9 |
| 7 | 850 – 970 | ELRS 868, LTE 900 |
| 8 | 970 – 1100 | CRSF 915, GPS L5 |
| 9 | 1100 – 1250 | L-діапазон GNSS |
| 10 | 1400 – 1550 | GPS L1/L2, ГЛОНАСС |
| 11 | 2100 – 2300 | DJI O2 HD |
| 12 | 2300 – 2500 | Wi-Fi 2,3; Autel |
| 13 | 2500 – 2700 | OcuSync 2.4 |
| 14 | 2700 – 2850 | а/в 2,8 ГГц |
| 15 | 2850 – 3000 | телеметрія 2,9 |
| 16 | 5700 – 5850 | FPV-відео 5,8 ГГц |
Комбінуйте кілька модулів у спільний корпус — кожен вмикається окремою лінією PA_EN (червоний + VCC, чорний GND, білий EN).
Основні технічні характеристики| Параметр | Значення |
|---|---|
| Потужність | 50 Вт (47 ± 1 dBm) |
| Живлення | 24 – 30 V DC |
| Струм | ≤ 3,5 A @ 50 Вт |
| VSWR | ≤ 1,5 |
| Роз’єм | SMA-female 50 Ω |
| Розміри | 111,7 × 37,3 × 19,5 мм |
| Вага | ≈ 0,30 кг |
+40-60 % радіуса подавлення порівняно з кремнієвими аналогами.
Безпечна безперервна робота без перегріву навіть у спеку.
Швидка інтеграція — прикрутив, під’єднав 28 V, увів PA_EN — і все готово.
GaN-модулі 50 Вт — компактне рішення для сучасних анти-FPV та C-UAS систем, коли потрібно максимум потужності без зайвого «заліза».
