Модуль перешкод FPV GaN 50W (200–300 МГц) | SMA | з циркулятором | Підсилювач для РЕБ-систем

50W Антидроновивий модуль перешкод GaN 200–300 МГц | 50 Вт | SMA | з GaN технологією та циркулятором. 

Модулі побудовані на базі GaN (нітрид галію) — це дає змогу досягти максимальної ефективності, компактності та стабільної роботи. Сертифікація: CE, ISO, RoHS, GS.

🔧 Що таке GaN?

GaN (Gallium Nitride) — це напівпровідниковий матеріал, який має значно кращі електричні властивості, ніж традиційний кремній (Si):

• Працює на вищих частотах

• Забезпечує вищу потужність

• Має менші втрати тепла

• Компактніший і легший за розмірами

🛰 У РЕБ/глушилках GaN дозволяє:

1. Збільшити радіус дії перешкод

2. Працювати стабільно на багатьох частотах (наприклад, 2.4 ГГц, 5.8 ГГц, GPS)

3. Зменшити розміри та вагу пристрою

4. Забезпечити тривалу роботу без перегріву

5. Знизити споживання енергії при тих самих або кращих характеристиках

Ключові параметри:

• Частота:  200–300 МГц  
• Вихідна потужність: 47±1 дБм
• Коефіцієнт стоячої хвилі (VSWR): ≤1.5
• Робоча напруга: DC+28V
• Споживаний струм: 47 дБм @ ≤3.5A
• Роз'єм RF: SMA
• Розміри: 111.7 × 37.3 × 19.5 мм

Сертифікація: CE, ISO, RoHS, GS
Застосування: Захист стратегічних об'єктів, забезпечення безпеки в польових умовах.
Інтерфейс моніторингу живлення: Лінія живлення (червоний: позитивний, чорний: негативний, білий: увімкнення підсилювача)




 

Переваги:

• Надійність і ефективність: Модуль забезпечує придушення сигналів у широкому частотному діапазоні, підходить для різних типів дронів, включаючи FPV і C-UAS.
• Стійкість до температур: Працює стабільно в різних умовах, підтримуючи оптимальні характеристики навіть при зміні температури.
• Компактні розміри: Легко інтегрується в різні системи РЕБ.