8 200 ₴
Відправка з 31 січня 2026Модуль придушення FPV Titan-GaN 50 Вт • 900 – 1050 МГц
RF-підсилювач для польових РЕБ-комплексів: видає 47 dBm (≈ 50 Вт) на вихідному SMA-конекторі при живленні 24-30 V DC. Побудований на високоефективному GaN-HEMT каскаді, оснащений феритовим циркулятором RFTYI 150 Вт та багаторівневою електронною захищеністю від КСВ, перегріву й перевантаження. Корпус 125 × 45 × 20 мм (320 г) служить власним радіатором; підсилювач швидко інтегрується в рюкзачні й стаціонарні джамери та здатен працювати безупинно 24/7 у пилу, вібрації й температурному діапазоні –40 … +70 °C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 900 – 1050 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm ≈ 50 Вт |
| Роз’єм / ізоляція | SMA-female + феритовий циркулятор RFTYI 150 Вт |
| ККД @ 28 V | ≈ 55 % (транзистор GaN-HEMT) |
| Захисти | VSWR, перегрів > 90 °C, надструм |
| Живлення | 24 – 30 V DC, споживання ≤ 5,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 45 × 20 мм / 0,32 кг |
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт
У центрі плати — керамічний транзистор у фланцевому корпусі (маркування S9N04…, паспорт ≈ 60 Вт). Робочі 47 dBm мають добрий запас по надійності.
Драйверний каскад
Над силовим блоком — чорний QFN-підсилювач на +30 dBm.
Узгодження — мікросмужки та індуктивність (червона емаль-дротинка) для рівної АЧХ по всій смузі.
Феритовий циркулятор-ізолятор RFTYI
Білий «млинчик» — модель WG2532X-1-150N, номінал 150 Вт, смуга 0,9-1,1 ГГц.
Стрілка «1 → 2» — вихід до антени; відбитий сигнал скидається в порт 3 із навантаженням RF-T 50-100 Ω. Транзистор захищено навіть при КСВ ≈ 2 : 1.
Контроль і захист
У нижній частині — MCU, термодатчик, шунт струму.
При T > 90 °C або VSWR > 1,5 контролер знеструмлює каскад (зелений LED гасне, червоний спалахує). Окремого білого дроту EN ця ревізія не має — усе відпрацьовує сама плата.
Фільтрація живлення
LC-фільтр: дросель 47 µH + конденсатор 47 µF 50 V прибирає імпульсні шуми.
Робота при 24-30 V DC, споживання під навантаженням ≤ 5,2 A.
Якість монтажу
Срібний припій, очищений флюс; теплові «містки» затягнуті гвинтами до 4-мм алюмінієвого корпуса-радіатора — стабільний відвід тепла й міцність у трясці та пилу.
Подаємо 28 V на червоний (+) та чорний (–) дроти.
Під’єднуємо еквівалент 50 Ω — бачимо 47 ± 1 dBm.
Знімаємо навантаження — модуль іде у захист, що підтверджує роботу циркулятора й контролера.
GaN-HEMT + циркулятор RFTYI 150 Вт — ті ж компоненти ставлять у військові передавачі; ресурс при нормальному охолодженні > 10 000 год.
Кожен екземпляр проходить заводовий прогрів і стендовий тест.
Багаторівневий захист робить підсилювач «неубиваним» у реальних польових умовах.
Titan-GaN 900-1050 МГц — професійний 50-ватний модуль з повноцінним ізолятором і контролем — надійне серце вашої РЕБ-системи.