9 150 ₴
6 600 ₴
RF-підсилювач для мобільних і стаціонарних РЕБ-комплексів: видає 47 dBm (≈ 50 Вт) на вихідному SMA-конекторі при живленні 24–30 V DC. Побудований на високоефективному GaN-HEMT каскаді, має феритовий циркулятор RFTYI 150 Вт та багаторівневий автозахист від КСВ, перегріву й перевантаження. Корпус 125 × 45 × 20 мм (≈ 320 г) слугує власним радіатором; модуль легко інтегрується у рюкзачні або баштові джамери та працює 24/7 у пилу, вібраціях і -40 … +70 °C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 800 – 900 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm ≈ 50 Вт |
| Роз’єм / ізоляція | SMA-female + циркулятор RFTYI WG2532X-1-150N |
| ККД @ 28 V | ≈ 55 % (GaN-HEMT) |
| Захисти | VSWR, T > 90 °C, надструм |
| Живлення | 24 – 30 V DC, ≤ 5,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 45 × 20 мм / 0,32 кг |
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт
Центральний фланцевий транзистор («S9N04…», паспорт ≈ 60 Вт) забезпечує робочі 47 dBm із запасом.
Драйверний каскад
Чорний QFN-підсилювач на +30 dBm. Узгодження — мікросмужки + індуктивна перемичка (червона емаль-дротинка) для рівної АЧХ по всій смузі.
Феритовий циркулятор-ізолятор RFTYI
Білий «млинчик» WG2532X-1-150N (номінал 150 Вт, смуга 0,82–0,96 ГГц).
Стрілка «1 → 2» веде енергію до антени, відбитий сигнал скидається у порт 3 з навант. 50–100 Ω — транзистор захищено навіть при КСВ ≈ 2 : 1.
Контроль і захист
MCU, термодатчик, шунт струму. При T > 90 °C чи VSWR > 1,5 модуль вимикається (зелений LED гасне, червоний блимає). Білого дроту EN у цій ревізії немає — увесь захист автономний.
Фільтрація живлення
LC-каскад (дросель 47 µH + конденсатор 47 µF 50 V) гасить імпульсні шуми. Споживання ≤ 5,2 A @ 28 V.
Якість монтажу
Срібний припій, очищений флюс; теплові «містки» стягнуті гвинтами до 4-мм алюмінієвого корпуса — стабільний відвід тепла й механічна міцність.
Подайте 28 V на червоний (+) і чорний (–) дроти.
Підключіть еквівалент 50 Ω — має бути 47 ± 1 dBm.
Зніміть навантаження — модуль піде у захист, що підтвердить роботу циркулятора й контролера.
GaN-HEMT + циркулятор RFTYI 150 Вт — компоненти рівня військових передавачів; ресурс > 10 000 год при нормальному охолодженні.
Кожен екземпляр проходить прогрів і стендовий контроль.
Багаторівневий захист робить підсилювач «неубиваним» у реальних польових умовах.
Titan-GaN 800 – 900 МГц — професійний 50-ватний модуль з ізолятором і автоматикою, готовий стати надійним «серцем» вашої РЕБ-системи.