9 150 ₴
7 750 ₴
Компактний RF-підсилювач смуги 600 – 700 МГц, що видає 47 dBm (≈ 50 Вт) на SMA-виході при живленні 24 – 30 V DC. Побудований на високоефективному GaN-HEMT каскаді, оснащений феритовим циркулятором RFTYI 150 Вт і повним електронним захистом від КСВ, перегріву та перевантаження. Алюмінієвий корпус 125 × 45 × 20 мм (320 г) виконує роль радіатора, тому модуль легко інтегрується у рюкзачні чи стаціонарні джамери й здатен працювати безупинно 24/7 у пилу, вібрації та температурах –40 … +70 °C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 600 – 700 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm (≈ 50 Вт) |
| Роз’єм / ізоляція | SMA-female + феритовий циркулятор RFTYI 150 Вт |
| ККД @ 28 V | ≈ 55 % (GaN-HEMT) |
| Захисти | VSWR, T > 90 °C, надструм |
| Живлення | 24 – 30 V DC, I ≤ 5,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 45 × 20 мм / 0,32 кг |
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт
У центрі – фланцевий транзистор (маркування S9G50…, паспорт ≈ 60 Вт). Робочі 47 dBm мають солідний запас.
Драйверний каскад
Над силовим блоком – QFN-підсилювач ~ +30 dBm.
Узгодження мікросмужками й індуктивністю (червона емаль-котушка) забезпечує рівну АЧХ у всій смузі 600-700 МГц.
Феритовий циркулятор-ізолятор RFTYI
Білий «млинчик» — модель WG2532X-1-100, номінал 150 Вт, робоча смуга 0,6-0,7 ГГц.
Стрілка «1 → 2» веде енергію до антени; відбитий сигнал йде в порт 3 з навантаженням RF-T 50-100 Ω, захищаючи транзистор навіть при КСВ ≈ 2 : 1.
Контроль і захист
MCU, термодатчик та шунт струму контролюють модуль.
При T > 90 °C або VSWR > 1,5 каскад відключається (зелений LED гасне, червоний блимає). Окремої лінії EN нема — усе робить сама плата.
Фільтрація живлення
LC-фільтр (дросель 47 µH + конденсатор 47 µF / 50 V) прибирає імпульсні завади.
Робота при 24-30 V DC; споживання ≤ 5,2 A.
Якість монтажу
Срібний припій, чистий флюс; силові «містки» притягнуті до 4-мм алюмінієвого корпуса-радіатора — надійний тепловідвід і витривалість у трясці, пилу, вологості.
Подайте 28 V на червоний (+) та чорний (–) дроти.
Під’єднайте еквівалент 50 Ω — отримаєте 47 ± 1 dBm.
Зніміть навантаження — модуль переходить у захист, що підтверджує роботу циркулятора та контролера.
GaN-HEMT + циркулятор RFTYI 150 Вт — ті самі компоненти, які стоять у військових передавачах; ресурс за правильного охолодження > 10 000 год.
Кожен модуль проходить заводовий прогрів і стендовий тест.
Багаторівневий захист робить підсилювач «неубиваним» у реальних бойових умовах.
Titan-GaN 600 – 700 МГц — професійний 50-ватний модуль із повноцінним ізолятором і контролем, готовий стати надійним «серцем» вашої РЕБ-системи.