9 150 ₴
7 750 ₴
Компактний RF-підсилювач для рюкзачних і стаціонарних РЕБ-систем: на виході SMA видає 47 dBm (≈ 50 Вт) при живленні 24-30 V DC. Працює на GaN-HEMT каскаді з ККД ≈ 55 %, має феритовий циркулятор RFTYI 150 Вт і багаторівневу електронну автозахисту від КСВ, перегріву та надструму. Корпус 125 × 45 × 20 мм (320 г) слугує радіатором, тому Titan-GaN легко інтегрується у польові джамери й витримує цілодобову роботу при –40…+70 °C, пилі та вібраціях.
| Ключові параметри | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 500 – 600 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm ≈ 50 Вт |
| Роз’єм / ізоляція | SMA-female + циркулятор RFTYI 150 Вт |
| ККД @ 28 V | ≈ 55 % (GaN-HEMT) |
| Захисти | VSWR, T > 90 °C, надструм |
| Живлення | 24 – 30 V DC, I ≤ 5,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 45 × 20 мм / 0,32 кг |
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт
У центрі плати – керамічний транзистор у фланцевому корпусі (маркування S9N04…, паспорт ≈ 60 Вт). Робочі 47 dBm залишають запас міцності.
Драйверний каскад
Над силовим блоко м – QFN-підсилювач на +30 dBm.
Узгодження мікросмужками й індуктивностями (червоні емаль-дротинки) забезпечує рівну АЧХ по всій смузі 500-600 МГц.
Феритовий циркулятор-ізолятор RFTYI
Білий «млинчик» – модель WG2532X-1-100, номінал 150 Вт, смуга 0,5-0,6 ГГц.
Стрілка «1 → 2» веде енергію до антени, відбитий сигнал гаситься в порті 3 (навантаження RF-T 50-100 Ω), тож транзистор захищений навіть при КСВ ≈ 2 : 1.
Контроль і захист
У нижній частині – MCU, термодатчик, шунт струму.
При T > 90 °C або VSWR > 1,5 плата автоматично відключає каскад (зелений LED гасне, червоний спалахує).
Фільтрація живлення
LC-фільтр (дросель 47 µH + конденсатор 47 µF 50 V) відсікає імпульсні шуми.
Робота 24-30 V DC; споживання під навантаженням ≤ 5,2 A.
Якість монтажу
Срібний припій, очищений флюс, теплові «містки» підтягнуті до 4-мм алюмінієвого радіатора – гарантований тепловідвід і механічна міцність.
Швидкий тест потужності
Подаємо 28 V на червоний (+) і чорний (–) дроти.
Під’єднуємо еквівалент 50 Ω – бачимо 47 ± 1 dBm.
Знімаємо навантаження – модуль іде у захист, підтверджуючи коректну роботу циркулятора й контролера.
GaN-HEMT + циркулятор RFTYI 150 Вт – ті ж компоненти стоять у військових передавачах; ресурс > 10 000 годин при нормальному охолодженні.
Кожен екземпляр проходить заводовий прогрів і наш стендовий тест.
Багаторівневий захист робить підсилювач «неубиваним» у реальних бойових умовах.
Titan-GaN 500–600 МГц – професійний 50-ватний модуль із повноцінним ізолятором і контролем – надійне серце вашої РЕБ-системи.