9 150 ₴
7 750 ₴
Компактний широкосмуговий підсилювач останньої ревізії «H-2», розрахований саме на високий ліцензійний діапазон Wi-Fi / UAV-лінків (2,55–2,70 ГГц). Видає 47 dBm ≈ 50 Вт у вихідному SMA-конекторі за живлення 24 – 30 V DC, працює безперервно в –40 … +70 °C і вже містить 150-ватний ізолятор RFTYI — ідеальне «серце» рюкзачного або стаціонарного РЕБ-комплексу.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 2550 – 2700 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm (≈ 50 Вт) |
| Роз’єм / ізоляція | SMA-female + феритовий циркулятор RFTYI 150 Вт |
| ККД @ 28 V | ≈ 55 % (каскад GaN-HEMT) |
| Захисти | VSWR, T > 90 °C, надструм |
| Живлення | 24 – 30 V DC, I ≤ 5,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 45 × 20 мм / 0,32 кг |
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт
У центрі плати — прямокутний керамічний транзистор у фланцевому корпусі (паспорт ≈ 65 Вт). Робочі 47 dBm мають солідний запас.
Двокаскадний драйвер
По обидва боки силового блоку — два QFN-підсилювачі по +28 dBm кожний.
Узгодження виконане мікросмужками + бронзові феритові індуктивності; широка «мостова» лінія у центрі забезпечує рівну АЧХ до 2,7 ГГц.
Феритовий циркулятор-ізолятор RFTYI
Білий «млинчик» — WG2532X-1-100 (150 Вт, 2,3–2,7 ГГц).
Стрілка 1 → 2 веде енергію до антени, відбиття скидається у порт 3 із навантаженням 50 Ω — транзистор захищено навіть при VSWR ≈ 2 : 1.
Контроль і захист
MCU, термопара й шунт струму в «цифровій» частині (вгорі плати).
При T > 90 °C або VSWR > 1,5 контролер за 5 мс знеструмлює каскад (зелений LED гасне, червоний спалахує).
Фільтрація живлення
LC-фільтр: дросель 47 µH + конденсатор 47 µF/50 V прибирає імпульсні шуми.
Струм під навантаженням — до 5,2 A @ 28 V.
Якість монтажу
Срібний припій, очищений флюс, теплові «містки» стягнуті до 4-мм алюмінієвого корпуса-радіатора — стабільний відвід тепла й міцність у трясці та пилу.
Подаємо 28 V на червоний (+) та чорний (–) дроти.
Під’єднуємо еквівалент 50 Ω — бачимо 47 ± 1 dBm.
Знімаємо навантаження — модуль іде у захист → циркулятор і контролер працюють.
Ті ж GaN-HEMT і RFTYI, що ставлять у військових РЕБ-станціях; ресурс > 10 000 год.
Кожен екземпляр проходить заводовий прогрів та стендовий тест.
Багаторівневий захист робить підсилювач «неубиваним» у полі.
Titan-GaN 2550-2700 МГц — професійний 50-ватний модуль із повноцінним ізолятором і контролем, готовий стати надійним ядром вашої РЕБ-системи.