9 150 ₴
Компактний VHF-підсилювач для портативних і стаціонарних РЕБ-комплексів. За живлення 24-30 V DC видає 47 ± 1 dBm (≈ 50 Вт) на вихідному SMA-конекторі. Побудований на високоефективному GaN-HEMT каскаді; базовий варіант працює без вбудованого циркулятора – таке рішення практикують у смугах нижче 400 МГц .
Корпус 125 × 45 × 20 мм (320 г) виконує роль основного радіатора; модуль проектувався для безупинної роботи 24/7 у пилу, вібрації й температурному діапазоні –40 … +70 °C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча смуга | 200–300 МГц |
| Вихідна потужність | 47 ± 1 dBm ≈ 50 Вт |
| Роз’єм | SMA-female |
| ККД @ 28 V | ≈ 58 % (GaN-HEMT) |
| Захисти | VSWR, перегрів > 90 °C, надструм |
| Живлення | 24–30 V DC, ≤ 3,2 A |
| Габарити / маса | 125 × 45 × 20 мм / 0,32 кг |
Чому саме GaN, а не LDMOS?
| GaN | LDMOS |
|---|---|
| > 50 % ККД при 28 V → менше тепла, менший радіатор | 35–40 % ККД, зайва вага та обдув |
| Витримує вищі напруги та температури | Чутливий до перенапруги й перегріву |
| Компактні чіпи → модуль легший на 20–30 % | Більші корпуси, важчий керамічний фланець |
| Стабільне посилення на високих частотах (до 6 ГГц) | Ефективність різко падає після 3 ГГц |
| Краще переносить короткочасний VSWR | Часто «вигорає» при розузгодженні антени |
Підсумок: GaN-транзистори дають ту ж потужність у менших габаритах, менше гріються й надійніше працюють у польових умовах, де ідеальний КСВ не гарантований.
Силовий каскад GaN-HEMT 50 Вт
• Центральний керамічний транзистор у фланцевому корпусі (маркування S9N26H181). Паспортна стеля ≈ 60 Вт, робочі 47 dBm мають запас.
Драйверний каскад
• Два QFN-підсилювачі по +30 dBm забезпечують рівномірне посилення у 100-МГц смузі.
• Узгодження – мікросмужки та індуктивності (червоні котушки 2 рН).
Фазувальний лінійний ділитель
• Біфілярний трансформатор у латунному корпусі утворює симетричне живлення транзистора та вирівнює АЧХ.
Контроль і захист
• MCU стежить за температурою, струмом і КСВ. При Т > 90 °C або VSWR ≈ 2:1 каскад відключається (зелений LED гасне, червоний блимає).
Фільтрація живлення
• LC-фільтр (47 µH + 47 µF / 50 V) відсікає імпульсні завади; фронти живлення згладжує тантал 220 µF.
Місце під зовнішній циркулятор
• Справа на платі – кріплення для опціонального VHF-ізолятора Ø55 мм. У базовій версії майданчик закрито екраном.
Подаємо 28 V на червоний (+) і чорний (–) дроти.
Під’єднуємо еквівалент 50 Ω – бачимо ≈ 58 Вт CW (47 dBm).
Знімаємо навантаження – модуль за секунду йде у захист, підтверджуючи коректну роботу контролера.
GaN-HEMT тієї ж серії, що стоять у військових передавачах; ресурс > 10 000 год при корпусі < 75 °C.
Кожен екземпляр проходить заводовий цикл прогріву та наш стендовий тест (потужність, КСВ, спектр).
Багаторівнева електронна охорона робить підсилювач «неубиваним» у реальних бойових умовах.
Titan-GaN 200-300 МГц – професійний 50-ватний модуль із повноцінним контролем, готовий стати надійним «серцем» вашої РЕБ-системи. Для щоглового монтажу просто додайте зовнішній VHF-циркулятор – і блок впевнено витримає навіть круті перемикання антен у полі.