Кошик
683 відгуків
MarketSmart - СПІВПРАЦЮЄМО З ВІЙСЬКОВИМИ ЧАСТИНАМИ, БФ, ГО, МІНОБОРОНОЮ – БЕРЕМО УЧАСТЬ У ТЕНДЕРАХ
Контакти
MarketSmart - СПІВПРАЦЮЄМО З ВІЙСЬКОВИМИ ЧАСТИНАМИ, БФ, ГО, МІНОБОРОНОЮ – БЕРЕМО УЧАСТЬ У ТЕНДЕРАХМенеджер
Дениса Монастирського, 3, Київ, Україна
+380 (67) 649-69-66
Основний
+380 (99) 649-69-67
Додатковий
+380996496967+380676496966+380676496966
  • Signal+380676496966
Модуль перешкод FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) без циркулятора, SMA-Female для РЕБ, фото 2
Модуль перешкод FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) без циркулятора, SMA-Female для РЕБ, фото 3
Модуль перешкод FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) без циркулятора, SMA-Female для РЕБ, фото 4
Модуль перешкод FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) без циркулятора, SMA-Female для РЕБ, фото 5

Модуль перешкод FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) без циркулятора, SMA-Female для РЕБ

9 800 ₴

  • В наявності
  • Код: M5850
Модуль перешкод FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) без циркулятора, SMA-Female для РЕБ
Модуль перешкод FPV 5.8 ГГц 50 Вт GaN (5725–5850 МГц) без циркулятора, SMA-Female для РЕБВ наявності
9 800 ₴
+380 (67) 649-69-66
Основний
  • +380 (99) 649-69-67
    Додатковий
+380 (67) 649-69-66
Основний
  • +380 (99) 649-69-67
    Додатковий
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Компактний високочастотний модуль перешкод для діапазону 5.8 ГГц (5725–5850 МГц), призначений для інтеграції у системи радіоелектронної боротьби. Це високотехнологічний модуль придушення для критично важливої частоти 5.8 ГГц — саме в цьому діапазоні працює переважна більшість сучасних FPV-дронів та систем передачі відеосигналу в реальному часі.

Рішення орієнтоване на протидію FPV-дронам та іншим платформам, що використовують відеолінки 5.8 ГГц. Модуль забезпечує ефективне придушення відеоканалів і передачі даних, знижуючи стабільність відеолінку в зоні дії.

Побудований на GaN-технології (нітрид галію), модуль демонструє високу ефективність на мікрохвильових частотах та стабільну вихідну потужність 50 Вт за умови належного тепловідводу. GaN-транзистор забезпечує високу питому потужність і кращу енергоефективність у порівнянні з LDMOS при тих самих габаритах.

Компактний форм-фактор (≈200 г) дозволяє інтегрувати модуль у стаціонарні, автомобільні та мобільні RF-платформи, де критично важливі габарити, маса та повторюваність параметрів.



 

Ключові переваги

• Робоча смуга 5725–5850 МГц — оптимізована саме під 5.8 ГГц
• GaN-каскад — висока ефективність на мікрохвильових частотах
• Стабільна вихідна потужність 50 Вт
• Окрема лінія керування (PA_EN) для зовнішнього контролю
• Компактні габарити та мала маса


Технічні характеристики

Робочий діапазон частот — 5725–5850 МГц
Вихідна потужність — 50 Вт (номінально)
Живлення — DC 28 В
Споживання струму — орієнтовно ≥4 А (залежить від режиму)
RF-роз’єм — SMA-Female
Габарити — 112 × 38 × 19.5 мм
Маса — ≈0.2 кг
Робоча температура — −30…+55 °C
Монтаж — гвинтове кріплення, теплопровідна основа


Важливо

Ця версія модуля постачається без інтегрованого циркулятора (ізолятора).
Тому особливо важливо забезпечити:

• якісне узгодження антени (низький КСВ)
• не вмикати модуль без навантаження
• використовувати узгоджену антену або еквівалент навантаження

Робота без антени або при значному розузгодженні може призвести до пошкодження вихідного каскаду та не є гарантійним випадком.


Характеристики
Основні атрибути
ВиробникARM
ТипКорпус
Інформація для замовлення
  • Ціна: 9 800 ₴